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砷化镓单晶片GaAs

  • 砷化镓单晶片GaAs

    砷化镓(GaAs)是镓和砷元素的化合物。它是具有闪锌矿晶体结构的III-V直接带隙半导体。砷化镓用于制造微波频率集成电路,单片微波集成电路,红外发光二极管,激光二极管,太阳能电池和光学窗口等设备。GaAs通常用作外延生长其他III-V半导体的衬底材料,包括砷化铟镓,砷化铝镓等。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”砷化镓单晶片。

  • 砷化镓外延GaAs Epi

    作为领先的砷化镓外延晶圆公司,我司正在制造基于镓、铝、铟、砷和磷的各类 n 型硅掺 III-V 外延片。这些外延材料通过分子束外延法 (MBE) 或金属有机化合物化学气相沉积法 (MOCVD) 进行生长, 具有较低缺陷。我司可提供砷化镓外延定制服务以满足客户需求,请联系k8凯发获取更多信息。