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  • 氮化镓单晶片GaN

    氮化镓（GaN）是二十世纪九十年代以来常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色（405nm）激光二极管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低（与其他III族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓（GaAs）晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外，GaN为THz器件提供了有前景的特性。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”氮化镓单晶片和4“,6”氮化镓外延片

  • 氮化镓外延GaN Epi

    作为第三代半导体材料，氮化镓 (GaN) 具有优越的禁带宽度（远高于硅和碳化硅）、热导率、电子迁移率以及导通电阻。由于高温下GaN生长过程中N的离解压力较高，很难获得大尺寸的GaN单晶材料，所以在异质衬底上制备外延GaN薄膜已经成为研究GaN材料和器件的主要方法。目前，GaN外延生长方法有氢化物气相外延（HVPE）、分子束外延（MBE）、金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）。目前，大多数商用器件都是基于GaN异质外延的，主要衬底是碳化硅（SiC）、硅（Si）和蓝宝石（Sapphire）。

  • 碳化硅单晶片SiC

    硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与碳化硅（SiC）晶片相比，则显得效率低下。碳化硅晶片现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战. 碳化硅晶片由纯硅和碳组成，与硅相比具有三大优势：更高的临界雪崩击穿场强、更大的导热系数和更宽的禁带。碳化硅晶片具有3电子伏特（eV）的宽禁带，可以承受比硅大8倍的电压梯度而不会发生雪崩击穿。禁带越宽，在高温下的漏电流就越小，效率也越高。而导热系数越大，电流密度就越高。SiC衬底具有更高的电场强度，因而可以使用更薄的基础结构，其厚度可能仅为硅外延层的十分之一。此外，SiC的掺杂浓度比硅高2倍，因此器件的表面电阻降低了，传导损耗也显著减少。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”,6”碳化硅单晶片。

  • 碳化硅外延SiC Epi

    SiC外延片生长的主要外延技术是化学气相沉积（CVD），它通过SiC外延反应器阶梯流的生长实现一定厚度和掺杂的碳化硅外延材料。随着碳化硅功率器件制造要求和耐压水平的提高，SiC外延片不断向低缺陷、厚外延方向发展。我司在4H 衬底上提供定制薄膜SiC外延，用于开发碳化硅器件。

  • 砷化镓单晶片GaAs

    砷化镓（GaAs）是镓和砷元素的化合物。它是具有闪锌矿晶体结构的III-V直接带隙半导体。砷化镓用于制造微波频率集成电路，单片微波集成电路，红外发光二极管，激光二极管，太阳能电池和光学窗口等设备。GaAs通常用作外延生长其他III-V半导体的衬底材料，包括砷化铟镓，砷化铝镓等。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”砷化镓单晶片。

  • 砷化镓外延GaAs Epi

    作为领先的砷化镓外延晶圆公司，我司正在制造基于镓、铝、铟、砷和磷的各类 n 型硅掺 III-V 外延片。这些外延材料通过分子束外延法 (MBE) 或金属有机化合物化学气相沉积法 (MOCVD) 进行生长， 具有较低缺陷。我司可提供砷化镓外延定制服务以满足客户需求，请联系k8凯发获取更多信息。

  • 锑化铟单晶片InSb

    锑化铟（InSb）是由元素铟（In）和锑（Sb）制成的结晶化合物，具有稳定的物理化学性能和优良的工艺相容性。它是用于红外探测器的III-V族的窄间隙半导体材料，包括红外热像仪，FLIR系统，红外制导导弹系统和红外天文学。锑化铟检测器在1-5μm波长之间敏感。锑化铟是旧的单探测器机械扫描热成像系统中非常常见的探测器。另一个应用是作为太赫兹辐射源，因为它是一个强烈的光 – Dember发射器。

    厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”锑化铟单晶片。

  • 锑化镓单晶片GaSb

    锑化镓（GaSb）是III-V族的镓和锑的半导体化合物。它具有约0.61nm的晶格常数。 得益于其电气、光学、热学等方面的特性，GaSb可用于红外探测器，红外LED和激光器和晶体管，以及热光电系统，在高量子效率及高频器件中拥有巨大的应用潜力。此外，锑化镓可用于具有定制光学和传输特性的超晶格，串联太阳能电池布置中的升压电池，用于提高光伏电池和高效热光伏 (TPV) 电池的效率。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”锑化镓单晶片。

  • 锗单晶片Ge

    锗是一种符号为Ge和原子序数为32的化学元素。它是碳组中的一种有光泽的，坚硬的灰白色非金属，化学上与其邻近的锡和硅相似。纯锗是具有类似于元素硅的外观的半导体。今天，锗主要来自闪锌矿（锌的主要矿石），尽管锗也是从银，铅和铜矿石中回收的。元素锗用作晶体管和各种其他电子器件中的半导体。从历史上看，半导体电子产品的第一个十年完全基于锗。今天，半导体电子产品的锗产量是生产的超高纯度硅的五十分之一。目前，主要的最终用途是光纤系统，红外光学，太阳能电池应用和发光二极管（LED）。锗化合物也用于聚合催化剂，并且最近发现用于制备纳米线。该元素形成大量有机金属化合物，例如四乙基锗烷，可用于有机金属化学。红外光学用锗量中，约有95%用于制造红外镜头和窗口。红外光学镜头和窗口仍然是今后红外光学用锗的主要内容。 厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”,6”锗单晶片。

  • 磷化铟单晶片InP

    磷化铟（InP）是由铟和磷组成的二元半导体。它具有面心立方（“zincblende”）晶体结构，与GaAs和大多数III-V半导体相同。磷化铟可以通过白磷和碘化铟在400℃下的反应制备，也可以通过在高温和高压下直接组合纯化的元素，或通过三烷基铟化合物和膦的混合物的热分解来制备。磷化铟用于高功率和高频电子设备，因为它相对于更常见的半导体硅和砷化镓具有优异的电子速度。它与铟镓砷一起用于制造破纪录的假晶异质结双极晶体管，其可以在604GHz下工作。它还具有直接带隙，使其可用于激光二极管等光电器件。Infinera公司使用磷化铟作为制造光通信行业光子集成电路的主要技术材料，以实现波分复用应用。磷化铟还用作外延基于铟镓砷的光电器件的衬底。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”磷化铟单晶片。

  • 砷化铟单晶片InAs

    砷化铟InAs或铟单砷化物是由铟和砷组成的半导体。它具有灰色立方晶体的外观，熔点为942°C。砷化铟用于构建红外探测器，波长范围为1-3.8μm。探测器通常是光伏光电二极管。低温冷却探测器具有较低的噪声，但InAs探测器也可用于室温下的高功率应用。砷化铟也用于制造二极管激光器。砷化铟类似于砷化镓，是一种直接的带隙材料。砷化铟有时与磷化铟一起使用。与砷化镓合金形成铟镓砷 – 一种带隙取决于In / Ga比的材料，这种方法主要类似于将氮化铟与氮化镓合金化以产生氮化铟镓。砷化铟以其高电子迁移率和窄能带隙而众所周知。它被广泛用作太赫兹辐射源，因为它是一个强大的光 – 琥珀发射器。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”砷化铟单晶片。