热退火和SHI辐照下Pd薄膜与SiC的界面反应 *
热退火和SHI辐照下Pd薄膜与SiC的界面反应 * 1. 概述 利用原位和实时Rutherford背散射光谱（RBS）和Grazing入射X射线衍射（GIXRD）研究了热退火、室温快速...
Cu/GaN异质结界面的热空穴与热电子输运 *
Cu/GaN异质结界面的热空穴与热电子输运 * 1. 概述 在所有等离子体金属中，铜（Cu）由于其CMOS兼容性和出色的催化性能，在实现光电和光化学热载流子器件方面具有最大的潜力。然而...
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深度解析N极性GaN HEMT的工作原理与优势 在c方向上，根据表面终止，III族氮化物具有III族元素（Al，In，Ga）极性（0001）或N极性（0001‾）（见图1）。如今，商...
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探究Al元素在液相生长SiC晶体中的作用及影响 可供P型SiC衬底，具体规格请见：http://www.aixue13.com/pxingtanhuaguisicchendi/ ...
3C-SiC 衬底
3C-SiC 衬底 目前，3C SiC基器件主要在Si衬底上制备。Si和3C-SiC之间的大晶格失配和热膨胀系数失配导致高缺陷密度，这影响了器件的性能。而3C-SiC衬底的带隙较低，但...
P型碳化硅（SiC）衬底
P型碳化硅（SiC）衬底 由于高生长压力和相对较低的温度，在液相法中Al不容易蒸发和损失。在液相法中使用的助溶液中添加Al可以容易地获得高载流子浓度的P型碳化硅（SiC）晶体，解决了S...
GaSb晶片表面研究进展
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GaN基MHz交错CRM-PFC转换器的性能评估
GaN基MHz交错CRM-PFC转换器的性能评估 可供GaN HEMT外延结构用于研究PFC器件研究，具体结构与参数请参考http://www.aixue13.com/gan-hem...
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GaAs表面钝化：提高器件性能和可靠性的关键技术 可供砷化镓（GaAs）晶片，具体参数请见：http://www.aixue13.com/product-category/compo...
变容二极管（Varactor Diode）外延片 *S
变容二极管（Varactor Diode）外延片 *S 变容二极管（Varactor diode / Varicap diode) 是电子工业中广泛使用的半导体器件。其中，异质结构势垒...