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砷化镓单晶片GaAs
砷化镓(GaAs)是镓和砷元素的化合物。它是具有闪锌矿晶体结构的III-V直接带隙半导体。砷化镓用于制造微波频率集成电路,单片微波集成电路,红外发光二极管,激光二极管,太阳能电池和光学窗口等设备。GaAs通常用作外延生长其他III-V半导体的衬底材料,包括砷化铟镓,砷化铝镓等。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”砷化镓单晶片。
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砷化镓外延GaAs Epi
作为领先的砷化镓外延晶圆公司,我司正在制造基于镓、铝、铟、砷和磷的各类 n 型硅掺 III-V 外延片。这些外延材料通过分子束外延法 (MBE) 或金属有机化合物化学气相沉积法 (MOCVD) 进行生长, 具有较低缺陷。我司可提供砷化镓外延定制服务以满足客户需求,请联系k8凯发获取更多信息。
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锑化镓单晶片GaSb
锑化镓(GaSb)是III-V族的镓和锑的半导体化合物。它具有约0.61nm的晶格常数。 得益于其电气、光学、热学等方面的特性,GaSb可用于红外探测器,红外LED和激光器和晶体管,以及热光电系统,在高量子效率及高频器件中拥有巨大的应用潜力。此外,锑化镓可用于具有定制光学和传输特性的超晶格,串联太阳能电池布置中的升压电池,用于提高光伏电池和高效热光伏 (TPV) 电池的效率。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”锑化镓单晶片。
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锗单晶片Ge
锗是一种符号为Ge和原子序数为32的化学元素。它是碳组中的一种有光泽的,坚硬的灰白色非金属,化学上与其邻近的锡和硅相似。纯锗是具有类似于元素硅的外观的半导体。今天,锗主要来自闪锌矿(锌的主要矿石),尽管锗也是从银,铅和铜矿石中回收的。元素锗用作晶体管和各种其他电子器件中的半导体。从历史上看,半导体电子产品的第一个十年完全基于锗。今天,半导体电子产品的锗产量是生产的超高纯度硅的五十分之一。目前,主要的最终用途是光纤系统,红外光学,太阳能电池应用和发光二极管(LED)。锗化合物也用于聚合催化剂,并且最近发现用于制备纳米线。该元素形成大量有机金属化合物,例如四乙基锗烷,可用于有机金属化学。红外光学用锗量中,约有95%用于制造红外镜头和窗口。红外光学镜头和窗口仍然是今后红外光学用锗的主要内容。 厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”,6”锗单晶片。