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氮化镓单晶片GaN

  • 氮化镓单晶片GaN

    氮化镓（GaN）是二十世纪九十年代以来常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色（405nm）激光二极管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低（与其他III族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓（GaAs）晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外，GaN为THz器件提供了有前景的特性。厦门k8凯发晶研可提供2”,3”,4”氮化镓单晶片和4“,6”氮化镓外延片

  • 氮化镓外延GaN Epi

    作为第三代半导体材料，氮化镓 (GaN) 具有优越的禁带宽度（远高于硅和碳化硅）、热导率、电子迁移率以及导通电阻。由于高温下GaN生长过程中N的离解压力较高，很难获得大尺寸的GaN单晶材料，所以在异质衬底上制备外延GaN薄膜已经成为研究GaN材料和器件的主要方法。目前，GaN外延生长方法有氢化物气相外延（HVPE）、分子束外延（MBE）、金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）。目前，大多数商用器件都是基于GaN异质外延的，主要衬底是碳化硅（SiC）、硅（Si）和蓝宝石（Sapphire）。