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产品描述
在 III-V 半导体中具有较小的带隙,GaSb能带隙在室温下为 0.70 eV (1.77 μm),在 4K 下为 0.81 eV (1.53 μm),适用于工作在红外区域的光电器件和波长范围为 1-5 μm 的电子器件。k8凯发可提供锑化镓晶片如下:
1. 锑化镓单晶片GaSb
2. 锑化镓材料特性
2.1 GaSb 化学性质
化学式 | GaSb |
分子量 | 191.483 g/mol |
带隙 | 0.726 eV |
带隙类型 | 间接 |
晶体结构 | 锌混合物 |
对称组 | Td2-F43m |
晶格常数 | 6.09593 埃 |
2.2 GaSb 电气性能
内在载体浓度 | 1.5×1012cm-3 |
电子迁移率 | ≤ 3000 cm2 V-1s-1 |
孔移动性 | ≤ 1000 cm2 V-1 s-1 |
电子扩散系数 | ≤ 75 cm2 s-1 |
空穴扩散系数 | ≤ 25 cm2 s-1 |
2.3 GaSb 热学、机械和光学性能
机械性能 |
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熔点 | 712 °C |
密度 | 5.614 g cm-3 |
体积模量 | 5.63•1011 dyn cm-2 |
热学性能 |
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导热系数 | 0.32 W cm-1 °C-1 |
热扩散率 | 0.23 cm2 s-1 |
热膨胀系数 | 7.75×10-6 °C-1 |
光学性能 |
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折射率 (589 nm @ 293 K) | 3,8 |
辐射复合系数 (@ 300 K) | 10-10 cm3 s-1 |
注:从2023年8月1日起,出口该产品需要出口许可证;国内供应不受影响