InAs/GaSb II类超晶格材料 InAs/GaSb II类超晶格材料 锑化物II类超晶格为直接带隙结构,具有较高的电子跃迁概率。其中,InAs/GaSb二类超晶格材料是由InAs和GaSb薄膜按不同的排列周期,通常采用... 2022-05-16 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
锑化铟(InSb)的市场发展 锑化铟(InSb)的市场发展 锑化铟(InSb)具有熔点最低、带隙窄、载流子迁移率高、结构完善性好等特点,是三五半导体化合物中一种特殊化合物。这些特性有利于锑化铟作为光电子器件和3-5 ... 2022-05-12 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
锑化镓 (GaSb) 光发射特性 锑化镓 (GaSb) 光发射特性 光学性能作为评价材料质量和器件性能的标准也受到了广泛的研究。目前,锑化镓(GaSb)材料被认为具有光电应用的潜力,我司可提供未掺杂和非故意锑化镓Gasb... 2022-05-11 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
GaSb材料表面状态处理 GaSb材料表面状态处理 表面和界面特性会影响半导体器件的性能。III-V材料具有高度的反应表面和大量的悬垂键,因此它们表现出较高的表面态密度。基于这些材料的器件性能在很大... 2022-05-10 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
InSb晶体生长技术简述 InSb晶体生长技术简述 InSb的材料特性使其在中波红外(MWIR)领域具有很高的军事和商业应用价值。它是通常在液氮温度(77 K,或−320°F)下工作的“冷却”焦点平面... 2022-05-10 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
635nm~2004nm GaAs激光外延片 (635nm~2004nm GaAs Laser Diode Epi Wafer) 635nm~2004nm GaAs激光外延片 (635nm~2004nm GaAs Laser Diode Epi Wafer) 砷化镓、磷化铟和氮化镓是制作激光器 (LD) 的重要材料,通过不同的方... 2021-11-19 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
赝调制掺杂异质结场效应晶体管GaAs砷化镓外延片 (pHEMT GaAs Epitaxy) 赝调制掺杂异质结场效应晶体管GaAs砷化镓外延片 (pHEMT GaAs Epitaxy) GaAs外延片是人脸识别芯片、手机及基站等射频芯片研发生产的重要部分。我司提供pHEMT GaAs外延片及定... 2021-11-19 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
GaAs、InP基雪崩光电二极管外延片 (APD Epiatxial Wafer) GaAs、InP基雪崩光电二极管外延片 (APD Epiatxial Wafer) k8凯发研发和制造高质量的雪崩光电二极管 (APD: Avalanche Photodiode) 砷化镓外延材料。波长、... 2021-11-19 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
异质结双极晶体管AlGaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs外延片 (HBT AlGaAs, InGaP/GaAs, InP/InGaAs epitaxial wafer) 异质结双极晶体管AlGaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs外延片 (HBT AlGaAs, InGaP/GaAs, InP/InGaAs epitaxial wafer) 我司提供砷化镓... 2021-11-19 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
霍尔元件材料-砷化镓外延片 (Hall components – GaAs Epi Wafer) 霍尔元件材料-砷化镓外延片 (Hall components – GaAs Epi Wafer) 我司可提供用于霍尔元件制作的砷化镓(GaAs)外延片。GaAs作为第二代半... 2021-11-19 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...