GaN p-n二极管和 InGaN 蓝光发光二极管（LED ）的偏振增强型 InGaN/GaN 混合隧道结接触*
GaN p-n二极管和 InGaN 蓝光发光二极管（LED ）的偏振增强型 InGaN/GaN 混合隧道结接触* 1. 概述 通过使用分子束外延在金属有机化学气相沉积生长的极化增强的p...
使用中心孔 SiC 慢化器进行高效正电子捕获和提取 *
使用中心孔 SiC 慢化器进行高效正电子捕获和提取 * 1. 概述 正电子是电子的反物质对应物，其捕获技术对于各种原子、分子和光学实验以及使用正电子群的材料分析是必不可少的。电子线性加...
氦离子注入4H-SiC色心的光致发光和拉曼光谱研究 *
氦离子注入4H-SiC色心的光致发光和拉曼光谱研究 * 1. 概述 碳化硅（SiC）中的色心是量子技术的有前景的候选材料。然而，SiC的多型和缺陷配置的丰富性使得准确控制SiC中缺陷的...
120GeV质子束表征新型磷化铟（InP）带电粒子探测器 *
120GeV质子束表征新型磷化铟（InP）带电粒子探测器 * 1. 概述 包含硅以外的半导体材料的薄膜探测器有可能利用其独特的材料特性，并提供更快的响应时间、在室温下操作和辐射硬度等优...
室温下用于高性能H2气体传感器的Pt–多孔GaN的双重孔隙率和表面功能化效应*
室温下用于高性能H2气体传感器的Pt–多孔GaN的双重孔隙率和表面功能化效应 * 1. 概述 本研究报道了使用硫处理的铂（Pt）修饰的多孔GaN在室温下实现高达25ppm的H2检测。这...
碳化硅中单个氮空位中心室温光学性质的实验研究 *
碳化硅中单个氮空位中心室温光学性质的实验研究 * 1. 概述 具有电信波长发射的固态系统中稳健的单自旋色中心对量子光子和量子网络至关重要。碳化硅（SiC）中的氮空位（NV）中心已成为这...
分子束外延生长的GaN纳米线和纳米晶体的晶体侧面调谐（AlN/Sapphire）*
分子束外延生长的GaN纳米线和纳米晶体的晶体侧面调谐（AlN/Sapphire）* 1. 概述 GaN纳米结构由于其3D结构而有望用于广泛的应用，从而暴露出非极性晶体表面。暴露的晶面的...
磷化镓（GaP）衬底
磷化镓（GaP）衬底 磷化镓（GaP）是一种间接带隙为2.26eV（300K）的化合物半导体材料。其多晶材料具有浅橙色碎片的外观。未掺杂的单晶磷化镓看起来是透明的橙色，而由于自由载流子...
与缺陷类型相关的He+离子辐照4H-SiC深度膨胀的电子能量损失光谱评估 *
与缺陷类型相关的He+离子辐照4H-SiC深度膨胀的电子能量损失光谱评估 * 1. 概述 各种缺陷和非晶转变是碳化硅（SiC）中膨胀积累的主要机制。在本研究中，使用1×1015、5×1...
热退火和SHI辐照下Pd薄膜与SiC的界面反应 *
热退火和SHI辐照下Pd薄膜与SiC的界面反应 * 1. 概述 利用原位和实时Rutherford背散射光谱（RBS）和Grazing入射X射线衍射（GIXRD）研究了热退火、室温快速...