碳化硅中单个氮空位中心室温光学性质的实验研究 *
碳化硅中单个氮空位中心室温光学性质的实验研究 * 1. 概述 具有电信波长发射的固态系统中稳健的单自旋色中心对量子光子和量子网络至关重要。碳化硅（SiC）中的氮空位（NV）中心已成为这...
分子束外延生长的GaN纳米线和纳米晶体的晶体侧面调谐（AlN/Sapphire）*
分子束外延生长的GaN纳米线和纳米晶体的晶体侧面调谐（AlN/Sapphire）* 1. 概述 GaN纳米结构由于其3D结构而有望用于广泛的应用，从而暴露出非极性晶体表面。暴露的晶面的...
磷化镓（GaP）衬底
磷化镓（GaP）衬底 磷化镓（GaP）是一种间接带隙为2.26eV（300K）的化合物半导体材料。其多晶材料具有浅橙色碎片的外观。未掺杂的单晶磷化镓看起来是透明的橙色，而由于自由载流子...
与缺陷类型相关的He+离子辐照4H-SiC深度膨胀的电子能量损失光谱评估 *
与缺陷类型相关的He+离子辐照4H-SiC深度膨胀的电子能量损失光谱评估 * 1. 概述 各种缺陷和非晶转变是碳化硅（SiC）中膨胀积累的主要机制。在本研究中，使用1×1015、5×1...
热退火和SHI辐照下Pd薄膜与SiC的界面反应 *
热退火和SHI辐照下Pd薄膜与SiC的界面反应 * 1. 概述 利用原位和实时Rutherford背散射光谱（RBS）和Grazing入射X射线衍射（GIXRD）研究了热退火、室温快速...
Cu/GaN异质结界面的热空穴与热电子输运 *
Cu/GaN异质结界面的热空穴与热电子输运 * 1. 概述 在所有等离子体金属中，铜（Cu）由于其CMOS兼容性和出色的催化性能，在实现光电和光化学热载流子器件方面具有最大的潜力。然而...
深度解析N极性GaN HEMT的工作原理与优势
深度解析N极性GaN HEMT的工作原理与优势 在c方向上，根据表面终止，III族氮化物具有III族元素（Al，In，Ga）极性（0001）或N极性（0001‾）（见图1）。如今，商...
探究Al元素在液相生长SiC晶体中的作用及影响
探究Al元素在液相生长SiC晶体中的作用及影响 可供P型SiC衬底，具体规格请见：http://www.aixue13.com/pxingtanhuaguisicchendi/ ...
3C-SiC 衬底
3C-SiC 衬底 目前，3C SiC基器件主要在Si衬底上制备。Si和3C-SiC之间的大晶格失配和热膨胀系数失配导致高缺陷密度，这影响了器件的性能。而3C-SiC衬底的带隙较低，但...
P型碳化硅（SiC）衬底
P型碳化硅（SiC）衬底 由于高生长压力和相对较低的温度，在液相法中Al不容易蒸发和损失。在液相法中使用的助溶液中添加Al可以容易地获得高载流子浓度的P型碳化硅（SiC）晶体，解决了S...