P型碳化硅（SiC）衬底
由于高生长压力和相对较低的温度，在液相法中Al不容易蒸发和损失。在液相法中使用的助溶液中添加Al可以容易地获得高载流子浓度的P型碳化硅（SiC）晶体，解决了SiC工业中缺少P型碳化硅衬底的问题。可提供液相生长的p型碳化硅衬底，该晶片具有低电阻、高掺杂浓度等特性。p型SiC衬底可以满足n沟道IGBT和GTO等双极器件的制备要求。具体规格请参考下表：
1. P型SiC衬底规格参数
No.1 50.8mm P型4H/6H SiC衬底
| 产品 | 2 inch P-Type SiC Substrate | |||
| 等级 | 精选级 | 工业级 | 测试级 | |
| 直径 | 50.8±0.38mm | |||
| 厚度 | 350±25um | |||
| 晶型 | 4H or 6H | |||
| 晶向 | off axis 2~4° toward [11-20]±0.5° | |||
| 主定位边晶向 | {10-10}±5.0° | |||
| 主定位边长度 | 15.9±1.7mm | |||
| 次定位边晶向 | Si face up: 90° CW.from prime flat ±5.0° | |||
| 次定位边长度 | 8.0±1.7mm | |||
| 电阻率 | ≤0.1Ω·cm | ≤0.3Ω·cm | ||
| MPD | <0.1cm-2 | |||
| LTV | ≤2.5μm | |||
| TTV | ≤5μm | |||
| Bow | ≤15μm | |||
| Warp | ≤25μm | ≤30μm | ||
| 粗糙度 | 抛光 | Ra≤1nm | ||
| CMP抛光 | Ra≤0.2nm | Ra≤0.5nm | ||
| 边缘裂纹 | None | 1 allowed, ≤1mm | ||
| 六方空洞 | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤3% | ||
| 多型 | None | Cumulative area≤5% | ||
| 目测包裹物 | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤3% | ||
| Si面划痕 | None | 8 scratches to 1×wafer diameter cumulative length | ||
| 崩边 | None permitted≥0.2mm width and depth | 5 allowed, ≤1mm each | ||
| Si面污染物 | None | |||
| 边缘去除 | 1mm | 5mm | ||
| 包装 | 单片盒装或多片盒装 | |||
No. 2 100mm P型 4H-SiC 晶片
| 产品 | 4 inch P-Type 4H-SiC Substrate | |||
| 等级 | 精选级 | 工业级 | 测试级 | |
| 直径 | 99.5~100mm | |||
| 厚度 | 350±25um | |||
| 晶型 | 4H | |||
| 晶向 | off axis 2~4° toward [11-20]±0.5° | |||
| 主定位边晶向 | {10-10}±5.0° | |||
| 主定位边长度 | 32.5±2.0mm | |||
| 次定位边晶向 | Si face up: 90° CW.from prime flat ±5.0° | |||
| 次定位边长度 | 18.0±2.0mm | |||
| 电阻率 | ≤0.1Ω·cm | ≤0.3Ω·cm | ||
| MPD | <0.1cm-2 | |||
| LTV | ≤2.5μm | ≤10μm | ||
| TTV | ≤5μm | ≤15μm | ||
| Bow | ≤15μm | ≤25μm | ||
| Warp | ≤30μm | ≤40μm | ||
| 粗糙度 | 抛光 | Ra≤1nm | ||
| CMP抛光 | Ra≤0.2nm | Ra≤0.5nm | ||
| 边缘裂纹 | None | Cumulative length≤10mm,single length≤2mm | ||
| 六方空洞 | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤0.1% | ||
| 多型 | None | Cumulative area≤3% | ||
| 目测包裹物 | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤3% | ||
| Si面划痕 | None | Cumulative≤1×wafer diameter | ||
| 崩边 | None permitted≥0.2mm width and depth | 5 allowed, ≤1mm each | ||
| Si面污染物 | None | |||
| 边缘去除 | 3mm | 6mm | ||
| 包装 | 单片盒装或多片盒装 | |||
2. P型SiC衬底在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的应用
由于p型衬底的电子相对空穴具有较高的迁移率，并且能够获取更低的导通压降，P型SiC衬底一般用于制造功率器件，特别是制造绝缘器件栅极双极晶体管 (IGBT)。 IGBT 的设计通常涉及 PN 结，其中 P 型 SiC 衬底有利于控制器件的行为。此外，N型沟道 IGBT 与当前电力电子系统兼容的特性，因此 N 沟道 IGBT 器件的研究具有很高的现实意义。
p型SiC衬底上IGBT结构
IGBT是一个非导通或关断开关，可以看作是MOSFET和BJT的结合体，它融合了BJT和MOSFET的优点，如低驱动功率和降低饱和电压。从结构上看，IGBT主要有三个发展方向：
1） 纵向结构：不透明集电区NPT型、缓冲层PT型、透明集电区NPT型、FS电场截止型；
2） 栅极结构：平面栅极结构、沟槽沟槽结构；
3） 衬底：外延生长技术和类型。
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