GaSb晶片表面研究进展 GaSb晶片表面研究进展 可供GaSb单晶片,更多规格参数请见:http://www.aixue13.com/products/tihuajiadanjingpiangasb/。 ... 2024-03-22 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
GaN基MHz交错CRM-PFC转换器的性能评估 GaN基MHz交错CRM-PFC转换器的性能评估 可供GaN HEMT外延结构用于研究PFC器件研究,具体结构与参数请参考http://www.aixue13.com/gan-hem... 2024-03-13 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
GaAs表面钝化:提高器件性能和可靠性的关键技术 GaAs表面钝化:提高器件性能和可靠性的关键技术 可供砷化镓(GaAs)晶片,具体参数请见:http://www.aixue13.com/product-category/compo... 2024-03-08 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
变容二极管(Varactor Diode)外延片 *S 变容二极管(Varactor Diode)外延片 *S 变容二极管(Varactor diode / Varicap diode) 是电子工业中广泛使用的半导体器件。其中,异质结构势垒... 2024-03-07 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
化合物半导体电光调制器(EOM)外延结构 化合物半导体电光调制器(EOM)外延结构 电光调制器(EOM)是任何光学系统的重要组成部分,广泛用于数字和模拟光纤系统中光波的相位或强度调制。高速调制器因其在先进电信系统、光纤无线电系... 2024-03-01 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
氮化物热电子晶体管外延 *S 氮化物热电子晶体管外延 *S 热电子晶体管(Hot Electron Transistor, HET)通常使用III族砷化物或III族锑化物材料生产。这些半导体系列的组合允许创建和使用... 2024-02-20 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
AlGaN/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET)外延片 *S AlGaN/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET)外延片 *S 场效应晶体管(FET)本质上是半导体电流路径,其电导通过施加垂直于电流的电场来控制。该场和半导体沟道中的载流子密度通过... 2024-01-29 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
硅(Si)基阻挡杂质带(BIB)探测器外延片 *S 硅(Si)基阻挡杂质带(BIB)探测器外延片 *S 阻挡杂质带(BIB)红外光电探测器是在本征红外探测器的基础上开发的,整个本征红外检测器系列可以实现2~400μm波长范围内的红外探测... 2024-01-26 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
耿氏二极管(Gunn Diode)外延片 *S 耿氏二极管(Gunn Diode)外延片 *S 长期以来,耿氏二极管(Gunn diode)一直是毫米波频率下相干发电的首选固态器件。通常,耿氏二极管由均匀掺杂的n型III-V材料(例如... 2024-01-16 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...
InGaAs/AlAs共振隧穿二极管结构外延 *S InGaAs/AlAs共振隧穿二极管结构外延 *S 共振隧穿二极管(RTD)技术是太赫兹(THz)无线通信中一种基于半导体的固态技术,该技术主要基于InGaAs/AlAs材料系统。该材... 2024-01-11 作者 厦门k8凯发晶研半导体有限公司 新闻中心 详情...